拓扑绝缘体是一种新型的物质相，其最独特的特点为表面导电、内部绝缘。表面导电的电流具有手性(chiral)特点并受到拓扑保护，因此表面电流不会因为缺陷或无序而发生散射。特别是2016年诺贝尔物理学奖颁给研究拓扑相变的三位科学家后，有关拓扑绝缘体的研究受到了空前关注。

近日，致公党党员、电信学部电子学院等离子体与微波电子学研究所张贻齐副教授与德国罗斯托克大学Alexander Szameit教授、俄罗斯科学院Yaroslav V. Kartashov教授等人合作，从实验和理论两方面开展了非线性调控高阶拓扑相的研究，首次实现了非线性光学二阶拓扑绝缘体。本工作利用飞秒激光直写技术在硅基材料中制备光晶格，系统地探究了拓扑相下光晶格的特征，实现了非线性拓扑角态和角态孤子。相关成果以“Nonlinear second-order photonic topological insulators”为题目于7月1日发表在《自然·物理学》杂志上。张贻齐副教授为共同第一作者，德国罗斯托克大学Alexander Szameit教授为通讯作者，本研究获得了国家自然科学基金面上项目的支持。

张贻齐副教授长期从事拓扑光子学与类量子效应的研究，近年来以第一作者及通讯作者在Physical Review Letters、Nature Communications、Laser & Photonics Reviews、Optica、ACS Photonics等国际著名期刊发表SCI收录论文近40篇。

                                                           (致公党交大总支委员会）